超高纯度刚玉管制备技术获突破，助力第三代半导体产业提质增效

     近日，国内某新材料企业宣布，其研发的“99.99%超高纯度微晶刚玉管”已实现批量稳定生产，并成功通过下游头部半导体企业的验证。该产品通过优化烧结助剂与采用超高压气氛烧结技术，显著提高了刚玉管的纯度、致密度和热震稳定性。在超过1800℃的极端工艺环境下，其抗蠕变性能和耐蚀性表现卓越，能够有效延长在碳化硅晶体生长、LED外延片制造等关键设备中的使用寿命，减少因管材污染和变形导致的成品率损失。业内人士认为，这一技术突破将有力支撑我国第三代半导体产业链在高端材料领域的自主可控与降本增效。